半導(dǎo)體用于集成電路，消費(fèi)電子，通信系統(tǒng)，光伏發(fā)電，照明應(yīng)用，大功率功率轉(zhuǎn)換和其他領(lǐng)域。半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。但半導(dǎo)體有個(gè)特性是導(dǎo)體和絕緣體所沒(méi)有的，那就是可以做成兩種不同特性的基片，再把這兩種基片結(jié)合到一起就可體現(xiàn)絕緣和導(dǎo)體交替的特性，如二*管反向絕緣，正向?qū)щ姡?管通過(guò)一個(gè)控制端可讓其導(dǎo)電就導(dǎo)電，讓其絕緣就絕緣。

　　半導(dǎo)體的作用是可以通過(guò)改變其局部的雜質(zhì)濃度來(lái)形成一些器件結(jié)構(gòu)，這些器件結(jié)構(gòu)對(duì)電路具有一定控制作用，比如二*管的單向?qū)щ姡热缇w管的放大作用。

　　半導(dǎo)體分類和性能

　?。?）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指由單個(gè)元素組成的半導(dǎo)體，其中硅和硒的研究相對(duì)較早。它是一種具有相同元素半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到痕量雜質(zhì)和外部條件引起的變化的影響。目前，只有硅和鍺具有良好的性能并被廣泛使用。硒用于電子照明和光電領(lǐng)域。硅被廣泛用于半導(dǎo)體工業(yè)中，主要受二氧化硅的影響，可以在器件生產(chǎn)中形成掩模，可以提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，有利于自動(dòng)化工業(yè)生產(chǎn)。

　　（2）無(wú)機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體。無(wú)機(jī)復(fù)合材料主要由單個(gè)元素作為半導(dǎo)體材料組成。當(dāng)然，也存在由多種元素組成的半導(dǎo)體材料。主要的半導(dǎo)體特性是I組和V，VI和VII組。第II組和第IV，V，VI和VII組；III組和V，VI；IV和IV，VI；V和VI;VI和VI組合的化合物，但受元素特性和生產(chǎn)方法的影響，并非所有化合物都能滿足半導(dǎo)體材料的要求。該半導(dǎo)體主要用于高速設(shè)備。InP制造的晶體管比其他材料快，并且主要用于光電集成電路和抗核輻射設(shè)備。對(duì)于具有高導(dǎo)電率的材料，它們主要用于LED和其他方面。

　?。?）有機(jī)化合物半導(dǎo)體。有機(jī)化合物是指分子中含有碳鍵的化合物。有機(jī)化合物和碳鍵彼此垂直以形成導(dǎo)帶。通過(guò)化學(xué)加成，它可以進(jìn)入能帶，從而產(chǎn)生電導(dǎo)率并形成有機(jī)化合物半導(dǎo)體。與以前的半導(dǎo)體相比，該半導(dǎo)體具有低成本，良好的溶解性和易于加工輕質(zhì)材料的特征。電導(dǎo)率可以通過(guò)控制分子來(lái)控制，具有廣泛的應(yīng)用范圍，主要用于有機(jī)薄膜，有機(jī)照明等。

　?。?）非晶半導(dǎo)體。它也被稱為非晶半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于一類半導(dǎo)體材料。像其他非晶材料一樣，非晶半導(dǎo)體具有短程有序和長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu)。它主要通過(guò)改變?cè)拥南鄬?duì)位置并改變?cè)嫉闹芷谛耘帕衼?lái)形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要與原子排列是否具有長(zhǎng)序不同。難以控制非晶半導(dǎo)體的性能。隨著技術(shù)的發(fā)明，非晶半導(dǎo)體開始被使用。該生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，主要用于工程領(lǐng)域，對(duì)光的吸收效果好，主要用于太陽(yáng)能電池和液晶顯示器。

　?。?）本征半導(dǎo)體。沒(méi)有雜質(zhì)和晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在*低的溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶已滿。在熱激發(fā)之后，價(jià)帶中的一些電子將穿過(guò)禁帶并以更高的能量進(jìn)入空帶?？諑е械碾娮映蔀閷?dǎo)帶。沒(méi)有電子會(huì)形成帶正電荷的空位，稱為空穴?？昭▊鲗?dǎo)不是實(shí)際的運(yùn)動(dòng)，而是等效的運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子導(dǎo)電時(shí)，電荷相等的空穴將沿相反的方向移動(dòng)。它們?cè)谕獠侩妶?chǎng)的作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)，以形成宏觀電流，分別稱為電子傳導(dǎo)和空穴傳導(dǎo)。

　　通過(guò)電子-空穴對(duì)的生成而形成的這種混合電導(dǎo)率稱為本征電導(dǎo)率。導(dǎo)帶中的電子落入空穴，并且電子-空穴對(duì)消失，這稱為復(fù)合。重組期間釋放的能量變?yōu)殡姶泡椛洌òl(fā)光）或晶格熱振動(dòng)能量（加熱）。在一定溫度下，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。此時(shí)，半導(dǎo)體具有一定的載流子密度并因此具有一定的電阻率。當(dāng)溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，載流子密度將增加，并且電阻率將降低。沒(méi)有晶格缺陷的純半導(dǎo)體的電阻率相對(duì)較大。