GB/T20018-2005金屬與非金屬覆蓋層覆蓋層厚度測量β射線背散射法內(nèi)容是什么?百檢網(wǎng)檢測范圍廣泛，可根據(jù)客戶需求選擇合適的檢測標(biāo)準(zhǔn)及項目安排檢測，全國近千家合作實驗室，CMA/CNAS資質(zhì)齊全，可就近安排寄樣檢測。今天百檢網(wǎng)就給大家簡單介紹一下GB/T20018-2005金屬與非金屬覆蓋層覆蓋層厚度測量β射線背散射法標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。

1范圍

警告 測量覆蓋層厚度的β射線背散射儀使用各種放射源,盡管這些放射源的強(qiáng)度通常很低,但如果處理不當(dāng),對人的健康還是有害的。因此操作人員必須遵守現(xiàn)行的國際和國家標(biāo)準(zhǔn)及地方法規(guī)。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了應(yīng)用β射線背散射儀無損測量覆蓋層厚度的方法。它適用于測量金屬和非金屬基體上的金屬和非金屬覆蓋層的厚度。使用本方法,覆蓋層和基體的原子序數(shù)或等效原子序數(shù)應(yīng)該相差個適當(dāng)?shù)臄?shù)值。

注:由于X射線熒光方法的使用,β射線背散射方法越來越少用于覆蓋層厚度的測量,然而,由于它的消耗低,對許

多應(yīng)用來說,它仍是一種非常有用的測量方法。此外,它具有較寬的測量范圍。

2.術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

2.1 放射性衰變 radioactive decay

一種自然的核蛻變。蛻變中放射粒子或射線或被軌道電子捕獲而放射Ⅹ射線,或原子核發(fā)生自然裂變[ISO 921:1997,定義972]。

2.2 β粒子 beta particle

核蛻變過程中,由原子核或中子發(fā)射的帶正電荷或帶負(fù)電荷的電子[ISO 921:1997,定義81]。

2.3 發(fā)射β的同位素 beta-emitting isotope

β發(fā)射源beta- emitting source

β發(fā)射體 beta-emitter

其原子核發(fā)射β粒子的物質(zhì)。

注1:β發(fā)射體可以按其蛻變時釋放出來的粒子的*大能級分類。

注2:表A.1列出了射線背散射儀使用的一些同位素。

2.4 電子伏特 electron-yolt

一個能量單位,等于通過電位差為1V的一個電子的能量變化[ISO 921:1997,定義393]。

注1:1ev=1.60219×10的19次方J。

注2:因為這個單位對所遇到的β粒子來說太小,所以通常用百萬電子伏特(MeV)。

2.5 活度 activity

衰變率 disintegration rate

在一個適當(dāng)小的時間間隔內(nèi),一定數(shù)量物質(zhì)發(fā)生的自然核蛻變數(shù)除以該時間間隔[ISO 921:1997,定義23]。

注1:在β背散射測量中,活度越高,相應(yīng)的β粒子發(fā)射就越多。

注2:活度的國際單位是貝克勒爾(Bq)。用在β背散射儀的放射性元素的活度通常以微居里(μCi)表示(1μCi=

3.7×10的4次方Bq,表示每秒中有3.7×10的4次方個衰變)。

2.6 放射性半衰期 radioactive half-ife

一放射性衰變的活度減少到它原來數(shù)值一半所需耍的時間[ISO 921:1997,定義975]。

2.7 散射 scattering

入射的粒子或輻射與粒子或粒子體系碰撞而使其方向或能量發(fā)生變化的過程[ISO 921:1997,定義1085]。

2.8 背散射 backscatter

粒子進(jìn)入物體沿同一表面背向離開該物體的散射。

注:β射線以外的輻射由覆蓋層和基體產(chǎn)生發(fā)射或背散射,它們中有一些可能被包含在背散射測量之中,在本標(biāo)準(zhǔn)

中,背散射這一語的使用意味著所有輻射測量。

2.9 (物體的)背散射系數(shù) R backscatter coefficient(of a body)

物體背散射粒子數(shù)與入射粒子數(shù)之比。

注:R值與同位素活度和測量時間無關(guān)。

2.10 背散射計數(shù) backscatter count

2.10.1 *背散射計數(shù) X absolute backscatter count

在一固定的時間間隔內(nèi),檢測器接收到的背散射粒子數(shù)。

注:X與同位素的活度測量時間、測量系統(tǒng)的幾何形狀以及檢測器的性能有關(guān)。通常,設(shè)無覆蓋層材料得到的計

數(shù)為X。,覆蓋層材料得到的計數(shù)為X,為得到這些數(shù)值,所得材料的厚度都應(yīng)超過其飽和厚度(見2.13)。

2.10.2 歸一化背散射計數(shù) X normalized backscatter count

一個與同位素的活度、測量時間和檢測器性能無關(guān)的數(shù)值,它由下式?jīng)Q定:

…………

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